在開關電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這(zhè)是不可(kě)能的(de)，BUCK型開關電源中主要的(de)損耗是導通(tōng)損耗和(hé)交流開關損耗，導通(tōng)損耗主要是指MOS管導通(tōng)後的(de)損耗和(hé)肖特基二極管導通(tōng)的(de)損耗（是指完全導通(tōng)後的(de)損耗，因爲導通(tōng)不是瞬間導通(tōng)，有個(gè)從線性區(qū)到非線性區(qū)的(de)過程），在MOS管導通(tōng)時(shí)，由于存在導通(tōng)電阻，那麽流過電流就必然存在導通(tōng)損耗，而肖特基導通(tōng)損耗是指在MOS管關閉期間，由于電感的(de)電流不能突變加上電感反沖現象，會産生與MOS管導通(tōng)時(shí)的(de)相反電壓方向，從而使肖特基導通(tōng)，流過的(de)電流會在肖特基上産生損耗。由于MOS管在導通(tōng)的(de)時(shí)候，流過其的(de)電流不是瞬間達到最大(dà)，此時(shí)電流有個(gè)從零逐漸上升到最大(dà)的(de)過程，此時(shí)MOS管漏源（DS）之間的(de)電壓也(yě)是從Vdc逐漸下(xià)降到零，MOS管關閉的(de)時(shí)候也(yě)存在此情況，隻是與打開的(de)時(shí)候過程相反，那麽在這(zhè)逐漸的(de)過程中就會産生損耗，這(zhè)就是交流開關損耗，交流開關損耗包括MOS管打開和(hé)關閉損耗，交流開關損耗與開關的(de)頻(pín)率成正比，因爲一開一關的(de)次數越多(duō)，損耗自然就大(dà)了(le)。

  在忽略交流開關損耗的(de)情況下(xià)，假設輸入電壓Vdc,輸出電壓爲Vo,MOS管導通(tōng)時(shí)間爲Ton,關閉時(shí)間爲Toff,整個(gè)周期爲T，即T=Ton+Toff。在MOS管導通(tōng)期間流過的(de)平均電流爲Io,由于電感電流不能突變，那麽在MOS管關閉期間流過肖特基的(de)平均電流也(yě)爲Io，在MOS管和(hé)肖特基導通(tōng)期間産生的(de)壓差基本爲1V，那麽導通(tōng)損耗=P(mos管)+P(肖特基)=1*Io*Ton/T+1*Io*Toff/T=1*Io。那麽此時(shí)的(de)效率E=Po/(Po+Plosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Io)=Vo/Vo+1。

  在考慮交流開關損耗的(de)時(shí)候，基本交流開關損耗可(kě)以分(fēn)兩種情況來(lái)考慮，第一種情況是MOS管導通(tōng)期間，電流開始上升的(de)時(shí)候電壓同時(shí)開始下(xià)降，MOS管關閉期間電流開始下(xià)降的(de)時(shí)候電壓同時(shí)上升，此種情況也(yě)是最理(lǐ)想的(de)情況（一般實際情況很難達到），那麽在此情況下(xià)，交流開關損耗=整個(gè)開關周期的(de)導通(tōng)損耗+整個(gè)開關周期的(de)關斷損耗=（時(shí)間從0到Ton,流過電流和(hé)電壓剩積的(de)積分(fēn)）*(Ton/T)+（時(shí)間從0到Toff,流過電流和(hé)電壓剩積的(de)積分(fēn)）*(Toff/T)=Io*Vdc/6*(Ton/T)+Io*Vdc/6*(Toff/T)。

  設Ton=Toff=Ts(理(lǐ)論上MOS管打開瞬間電流從0上升到最大(dà)與MOS管關斷瞬間從最大(dà)下(xià)降到0的(de)時(shí)間是一樣)，所以交流開關損耗Pac=Io*Vdc*Ts/3T。則此時(shí)的(de)效率E=Po/（Po+DClosse+AClosse）=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(Io*Vdc*Ts/3T)=Vo/(Vo+1+Vdc*Ts/T)上面是在考慮交流開關損耗的(de)理(lǐ)想情況下(xià)的(de)效率，那麽第二種情況就是在最差的(de)情況下(xià)，即MOS管導通(tōng)時(shí)，電流從0達到最大(dà)後，電壓才開始下(xià)降，而不是同時(shí)，MOS管關閉時(shí)，電壓上升到最大(dà)後，電流才開始從0開始下(xià)降，一般這(zhè)種情況更接近真實情況，那麽此種情況下(xià)，交流開關損耗=整個(gè)開關周期的(de)導通(tōng)損耗+整個(gè)開關周期的(de)關斷損耗=Io*Vdc*Ts/T+Io*Vdc*Ts/T=2*Io*Vdc*Ts/T。所以此時(shí)效率E=Po/（Po+DClosse+AClosse）=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(2*Io*Vdc*Ts/T)=Vo/(Vo+1+2*Vdc*Ts/T)。

  以上的(de)效率計算(suàn)是在沒有考慮肖特基的(de)反向恢複時(shí)間的(de)情況下(xià)，實際的(de)效率可(kě)能還(hái)會比以上計算(suàn)的(de)低，反向恢複時(shí)間是指二極管從承受反向電壓的(de)瞬間到完全停止流過反向漏電流所經曆的(de)時(shí)間，因爲二極管在反向截止時(shí)不可(kě)能瞬間截止，也(yě)是有一個(gè)過程的(de)。應該使用(yòng)反向恢複時(shí)間在35ns~50ns的(de)超快(kuài)恢複二極管作爲續流二極管，該損耗與開關頻(pín)率成正比。