我們經常會遇到這(zhè)個(gè)問題，明(míng)明(míng)是按這(zhè)個(gè)功率設計的(de)了(le)，爲什(shén)麽設計好了(le)，一測試，功率好像就是不足呢(ne)？還(hái)有的(de)功率跑哪去了(le)呢(ne)？下(xià)面小編跟你來(lái)一起學習(xí)一下(xià)吧？

一般情況下(xià)開關電源适配器的(de)的(de)功率損耗包括3部分(fēn)：傳輸損耗、開關損耗和(hé)其他(tā)損耗。

一、什(shén)麽是開關電源的(de)傳輸損耗？

傳輸損耗由兩部分(fēn)組成。第一部分(fēn)是由MOSFET的(de)通(tōng)态電阻RDS（ON）而引起的(de)傳輸損耗，也(yě)稱導通(tōng)損耗。例如早期産品TOP227Y的(de)RDS（ON）=2.6Ω(典型值,下(xià)同),新産品TOP262的(de)RDS（ON）≤0.90Ω,通(tōng)态電阻越小,傳輸損耗就越低.第二部分(fēn)是電流檢測電阻RS的(de)損耗.

二、什(shén)麽是開關電源的(de)開關損耗?

開關損耗包括MOSFET的(de)電容損耗和(hé)開關交疊損耗.這(zhè)裏講的(de)電容損耗也(yě)稱CU2F損耗,是指儲存在MOSFET輸出電容Coss和(hé)高(gāo)頻(pín)變壓器分(fēn)布電容上的(de)性能，在每個(gè)開關周期開始時(shí)洩放掉而産生的(de)損耗。交疊損耗是由于MOSFET存在開關時(shí)間而産生的(de)。在MOSFET的(de)通(tōng)、斷過程中，由于有效的(de)電壓和(hé)電流同時(shí)作用(yòng)于MOSFET，緻使MOSFET的(de)開關交疊時(shí)間較長(cháng)而造成損耗。單片開關電源内部增加了(le)米勒（Miller)電容，使用(yòng)MOSFET的(de)開關速度很快(kuài)，其交疊損耗僅爲分(fēn)立開關電源的(de)1/10左右，可(kě)忽略不計。

那除了(le)上面的(de)兩點，開關電源還(hái)有什(shén)麽其他(tā)的(de)損耗？

三、開關電源還(hái)包括以下(xià)損耗：

1）啓動電路的(de)損耗。開關電源内部有啓動電路，當芯片被啓動後即自行關斷，因此在轉入正常工作之後就沒有損耗。PWM控制器需接外部啓動電路，會導緻一定的(de)功耗。

2）PWM控制器的(de)損耗。PWM控制器的(de)損耗，包括控制電路本的(de)損耗以及控制驅動MOSFET的(de)功耗。

3）輸入整流橋的(de)損耗約占開關電源總功耗的(de)2%。低壓大(dà)電流輸出時(shí)，輸出整流管的(de)損耗可(kě)占開關電源總功耗的(de)10%以上。

4）漏極鉗位保護電路的(de)損耗爲1~1.2W.

5)高(gāo)頻(pín)變壓器的(de)磁心損耗(随開關頻(pín)率升高(gāo)而增大(dà)),繞組導線的(de)集膚效應損耗.

6)其他(tā)電路的(de)損耗.包括EMI濾波器中的(de)限流電阻(NT-CR)和(hé)X電容器的(de)洩放電阻、輸入整流橋、輸入濾波器、輸出濾波器、反饋電路的(de)損耗之和(hé)。

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